HM5921A datasheet(3/6 Pages) HMSEMI

No de pièce	HM5921A

Description	1A synchronous mobile power solution

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Fabricant	HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]

Site Internet	http://www.hmsemi.com/

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Ver1.4

3

深圳市天源中芯半导体有限公司

于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。

电气参数

无特殊说明，

VDD=5V，Ta=25℃

符号

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

VDD

充电输入电压

4.3

5

5.5

V

VDD_OVP

充电输入过压保护

6.5

V

VDD_OVP_RE

充电输入过压保护恢复

5.8

V

VBAT

预设充电电压

VSEL 接地

4.15

4.2

4.25

V

VSEL 悬空

4.30

4.35

4.4

V

IBAT

BAT 恒流充电电流

恒流充电模式

1

A

ITRK

BAT 涓流充电电流

涓流充电模式

100

mA

VTRK

涓流充电阈值电压

VBAT 上升

2.9

V

VTRK_HYS

涓流充电滞回电压

150

mV

TST

充电温度补偿阈值

120

℃

TZERO

充电零电流温度

135

℃

VUV_BAT

BAT 欠压锁定阈值电

压

VBAT 上升

3.2

V

VWN_BAT

BAT 低压报警电压

VBAT 下降

3.0

V

VBAT_END

BAT 放电终止电压

2.85

V

ISD_BAT

BAT 待机电流

VBAT=3.7V

50

80

uA

VSD

VDD-VBAT 锁定阈值

VDD 上升

180

mV

VDD 下降

80

mV

VOUT

升压输出电压

ILOAD=1A,VBAT=3.7V

4.8

5V

5.2

V

ILEDx

LEDx 驱动电流

BAT=4V

2

mA

FLEDx_C

LEDx 充电闪烁频率

1

Hz

FLED1_WN

LED1 低电报警频率

2

Hz

RON_CHRG

充电

PMOS 导通电阻

300

mΩ

RON_NMOS

放电

NMOS 导通电阻

55

mΩ

RON_PMOS

放电

PMOS 导通电阻

55

mΩ

FOSC

升压电路工作频率

0.7

1

1.3

MHz

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