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IRFE310 Fiches technique(PDF) 4 Page - International Rectifier

No de pièce IRFE310
Description  HEXFET TRANSISTOR
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRFE310 Fiches technique(HTML) 4 Page - International Rectifier

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background image
IRFE310, JANTX-, JANTXV-, 2N6786U Devices
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
1.25 A
V
= 80V
DS
V
= 200V
DS
V
= 320V
DS
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°
1
10
100
0
100
200
300
400
500
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
f = 1MHz
+ C
+ C
C
SHORTED
GS
iss
gs
gd ,
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
J
C
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
10us
100us
1ms
10ms


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