Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
BAT54VV Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BAT54VV Fiches technique(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 9 page 9397 750 13524 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 14 September 2004 4 of 9 Philips Semiconductors BAT54VV Schottky barrier triple diode in ultra small SOT666 package (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb =85 °C. (3) Tamb =25 °C. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb =85 °C. (3) Tamb =25 °C. Fig 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values. Fig 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. Tamb =25 °C; f = 1 MHz. Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. 103 102 10−1 IF (mA) VF (V) 10 1 1.2 0.8 0.4 0 msa892 (3) (2) (1) (3) (2) (1) 010 20 30 VR (V) 103 102 10−1 IR ( µA) 10 1 (1) (2) (3) msa893 010 20 30 0 5 10 15 VR (V) Cd (pF) msa891 |
Numéro de pièce similaire - BAT54VV |
|
Description similaire - BAT54VV |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |