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NTE6403 Fiches technique(PDF) 2 Page - NTE Electronics |
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NTE6403 Fiches technique(HTML) 2 Page - NTE Electronics |
2 / 2 page Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C, Note 3 unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Dynamic Peak Pulse Amplitude Vo 3.5 – – V Turn–On Time ton – – 1.0 µs Turn–Off Time toff – – 30.0 µs Note 3. This device is a symmetrical negative resistance diode. All electrical limits shown above apply in either direction of current flow. SBS CIRCUIT SYMBOL G A2 A1 A1 G A2 .190 (4.82) Min .018 (0.45) Dia Max .245 (6.23) Max .500 (12.7) Min .100 (2.54) .200 (5.08) Max .065 (1.65) .140 (3.55) Max .135 (3.45) Min Seating Plane .021 (.445) Dia Max .210 (5.33) Max .500 (12.7) Min .050 (1.27) .165 (4.2) Max .105 (2.67) Max .100 (2.54) .105 (2.67) Max .205 (5.2) Max A1 G A2 |
Numéro de pièce similaire - NTE6403 |
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Description similaire - NTE6403 |
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