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BAV756DW Fiches technique(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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BAV756DW Fiches technique(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 3 page Production specification Surface Mount Fast Switching Diodes BAV756DW G014 www.gmesemi.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 ℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Reverse breakdown voltage V(BR)R IR=2.5 μA 75 V Reverse voltage leakage current IR VR=75V VR=75V,Tj=150℃ VR=25V,Tj=150℃ VR=20V 2.5 50 30 25 μA μA μA nA Forward voltage VF IF=1.0mA IF=10mA IF=50mA IF=150mA 0.715 0.855 1.0 1.25 V Total Capacitance CT VR=0V,f=1.0MHz 2.0 pF Reverse Recovery time trr IF=IR=10mA,Irr=0.1*IR, RL=100 Ω 4.0 ns TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 ℃ unless otherwise specified |
Numéro de pièce similaire - BAV756DW |
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Description similaire - BAV756DW |
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