Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
BAV70W Fiches technique(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
BAV70W Fiches technique(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 3 page Production specification Dual surface mount switching diode BAV70W F008 www.gmesemi.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 ℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Reverse breakdown voltage V(BR)R IR= 100 μA 70 V Reverse voltage leakage current IR VR=70V 2.5 μA Forward voltage VF IF=1mA IF=10mA IF=50mA IF=150mA 715 855 1000 1250 mV Diode capacitance CD VR=0V f=1MHz 1.5 pF Reverse recovery time trr IF=IR=10mA IR=1mA RL=100 Ω 6 nS TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 ℃ unless otherwise specified |
Numéro de pièce similaire - BAV70W |
|
Description similaire - BAV70W |
|
|
Lien URL |
Politique de confidentialité |
ALLDATASHEET.FR |
ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |