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BC817DPN Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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4 / 12 page 2002 Nov 22 4 Philips Semiconductors Product specification NPN/PNP general purpose transistor BC817DPN handbook, halfpage 0 500 100 200 300 400 MBL747 10−1 110 102 IC (mA) hFE 103 (3) (1) (2) Fig.2 DC current gain as a function of collector current; typical values. (1) Tamb = 150 °C. (2) Tamb =25 °C. (3) Tamb = −55 °C. TR1 (NPN) VCE =1V. handbook, halfpage 010 1000 0 200 400 600 800 24 6 8 VCE (V) IC (mA) MBL748 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) Fig.3 Collector current as a function of collector-emitter voltage; typical values. (1) IB = 15 mA. (2) IB = 13.5 mA. (3) IB = 12 mA. (4) IB = 10.5 mA. (5) IB = 9 mA. (6) IB = 7.5 mA. (7) IB = 6 mA. (8) IB = 4.5 mA. (9) IB = 3 mA. (10) IB = 1.5 mA. TR1 (NPN) |
Numéro de pièce similaire - BC817DPN |
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Description similaire - BC817DPN |
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