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SI7425DN Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI7425DN Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si7425DN Vishay Siliconix New Product Document Number: 72400 S-32411—Rev. B, 24-Nov-03 www.vishay.com 3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 VSD − Source-to-Drain Voltage (V) 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0 1234 5 VGS − Gate-to-Source Voltage (V) 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0 5 10 15 20 25 0 1 2 3 4 5 0 5 10 15 20 25 30 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150 0 800 1600 2400 3200 4000 0 246 8 10 12 Crss Coss Ciss VDS = 6 V ID = 12.6 A VGS = 4.5 V ID = 12.6 A VGS = 1.8 V Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current Qg − Total Gate Charge (nC) VDS − Drain-to-Source Voltage (V) ID − Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ − Junction Temperature (_C) TJ = 150_C TJ = 25_C ID = 12.6 A 30 10 1 Source-Drain Diode Forward Voltage On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage VGS = 2.5 V VGS = 4.5 V ID = 3.5 A |
Numéro de pièce similaire - SI7425DN |
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Description similaire - SI7425DN |
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