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SI4482DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4482DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 4 page Si4482DY Vishay Siliconix Document Number: 70749 S-03951—Rev. B, 26-May-03 www.vishay.com 2-3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) Crss 0 500 1000 1500 2000 2500 0 20406080 100 0 10 20 30 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 0 2 4 6 8 10 0 6 12 18 24 30 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0 10203040 0 8 16 24 32 40 0 123 456 Output Characteristics Transfer Characteristics Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS = 10 thru 6 V 5 V 4 V VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TC = 125_C -55 _C Qg - Total Gate Charge (nC) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VDS = 50 V ID = 4.6 A ID - Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature VGS = 10 V ID = 4.6 A TJ - Junction Temperature (_C) VGS = 10 V VGS = 6 V 25 _C 1, 2, 3 V Coss Ciss |
Numéro de pièce similaire - SI4482DY |
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Description similaire - SI4482DY |
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