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RGTV00TS65 Fiches technique(PDF) 2 Page - Rohm |
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RGTV00TS65 Fiches technique(HTML) 2 Page - Rohm |
2 / 11 page www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Datasheet RGTV00TS65 Thermal Resistance IGBT Electrical Characteristics (at Tj = 25°C unless otherwise specified) nA ±200 μA 7.0 V V Tj = 25°C - 1.5 1.9 Tj = 175°C - 1.85 - Collector - Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 50A, VGE = 15V Gate - Emitter Threshold Voltage VGE(th) VCE = 5V, IC = 34.3mA 5.0 6.0 Gate - Emitter Leakage Current IGES VGE = 30V, VCE = 0V -- Parameter Symbol Conditions Values Collector Cut - off Current ICES Collector - Emitter Breakdown Voltage BVCES IC = 10μA, VGE = 0V 650 - - 10 - - VCE = 650V, VGE = 0V Unit Min. Typ. Max. V °C/W Thermal Resistance IGBT Junction - Case Rθ(j-c) - - 0.54 Parameter Symbol Values Unit Min. Typ. Max. 2/9 2017.05 - Rev.A |
Numéro de pièce similaire - RGTV00TS65 |
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Description similaire - RGTV00TS65 |
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