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STN210D Fiches technique(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
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STN210D Fiches technique(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 9 page STN210D N Channel Enhancement Mode MOSFET 80.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. ST210D 2016 V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 30 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1.3 2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=30V,VGS=0V 1 uA VDS=30V,VGS=0V TJ=55 5 Drain-source On- Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=20A VGS=4.5V,ID=20A 2.4 3.7 3 4.7 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=20A 80 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.0A,VGS=0V 1.0 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=15V,VGS=10V ID≡20A 120 nC Gate-Source Charge Qgs 30 Gate-Drain Charge Qgd 40 Input Capacitance Ciss VDS =15V,VGS=0V F=1MHz 7780 pF Output Capacitance Coss 1805 Reverse TransferCapacitance Crss 435 Turn-On Time td(on) tr VDS=15V,RL=0.75Ω VGS=10V, RGEN=3Ω 12 nS 11 Turn-Off Time td(off) tf 40 12 |
Numéro de pièce similaire - STN210D |
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Description similaire - STN210D |
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