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BAS170WS Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

No de pièce BAS170WS
Description  Schottky Diodes
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

BAS170WS Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

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2
Document Number 85653
Rev. 1.2, 18-Nov-03
VISHAY
BAS170WS
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
1) Pulse test; t
p ≤ 300 µs
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse breakdown voltage
IR = 10 µA (pulsed)
V(BR)R
70
V
Leakage current
VR =50 V
IR
0.1
µA
VR = 70 V
IR
10
µA
Forward voltage
IF = 200 mA
VF
375
410
V
I<tief<F = 10 mA
VF
705
750
V
Forward voltage1)
IF = 15 mA
VF
880
1000
mV
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Ctot
1.5
2
pF
Charge carrier lifetime
IF = 25 mA
τ
100
ps
Differential forward resistance
IE = 5 mA, f = 10 kHz
RF
34
Ω


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