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BAS170WS Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
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BAS170WS Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 4 page www.vishay.com 2 Document Number 85653 Rev. 1.2, 18-Nov-03 VISHAY BAS170WS Vishay Semiconductors Electrical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified 1) Pulse test; t p ≤ 300 µs Parameter Test condition Symbol Min Typ. Max Unit Reverse breakdown voltage IR = 10 µA (pulsed) V(BR)R 70 V Leakage current VR =50 V IR 0.1 µA VR = 70 V IR 10 µA Forward voltage IF = 200 mA VF 375 410 V I<tief<F = 10 mA VF 705 750 V Forward voltage1) IF = 15 mA VF 880 1000 mV Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Ctot 1.5 2 pF Charge carrier lifetime IF = 25 mA τ 100 ps Differential forward resistance IE = 5 mA, f = 10 kHz RF 34 Ω |
Numéro de pièce similaire - BAS170WS |
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Description similaire - BAS170WS |
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