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STU16N65M2 Fiches technique(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
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STU16N65M2 Fiches technique(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 16 page DocID027086 Rev 1 7/16 STP16N65M2, STU16N65M2 Electrical characteristics 16 Figure 8. Normalized gate threshold voltage vs. temperature Figure 9. Normalized V(BR)DSS vs. temperature VGS(th) 0.8 -75 -25 25 Tj(°C) (norm) 0.6 75 0.7 0.9 1.0 125 1.1 ID = 250 µA GIPD180920141442FSR V(BR)DSS 0.96 -75 -25 75 Tj(°C) 25 (norm) 0.88 125 0.92 1.00 1.04 1.08 ID= 1mA GIPD180920141448FSR Figure 10. Static drain-source on-resistance Figure 11. Normalized on-resistance vs. temperature RDS(on) 1 -75 -25 75 Tj(°C) 25 (norm) 0.2 125 0.6 1.4 1.8 2.2 VGS= 10V GIPD180920141459FSR Figure 12. Gate charge vs. gate-source voltage Figure 13. Capacitance variations |
Numéro de pièce similaire - STU16N65M2 |
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Description similaire - STU16N65M2 |
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