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STE88N65M5 Fiches technique(PDF) 8 Page - STMicroelectronics |
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STE88N65M5 Fiches technique(HTML) 8 Page - STMicroelectronics |
8 / 14 page Electrical characteristics STE88N65M5 8/14 DocID025974 Rev 1 Figure 14. Switching losses vs gate resistance (1) 1. Eon including reverse recovery of a SiC diode. E 0 0 20 RG( Ω) ( μJ) 10 30 1000 2000 40 ID=56A VDD=400V Eon Eoff 3000 VGS=10V TJ=25°C AM11171v1 |
Numéro de pièce similaire - STE88N65M5 |
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Description similaire - STE88N65M5 |
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