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SI4686DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4686DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 9 page Document Number: 73422 S09-0228-Rev. B, 09-Feb-09 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4686DY TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 10 20 30 40 50 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 VGS = 10 V thru 4 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 3 V 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014 0 1020304050 VGS = 10 V ID - Drain Current (A) VGS = 4.5 V 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 ID = 13.8 A Qg - Total Gate Charge (nC) VDS = 21 V VDS = 15 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 25 °C TC = 125 °C - 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 300 600 900 1200 1500 0 5 10 15 20 25 30 Crss Coss Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS = 10 V TJ - Junction Temperature (°C) VGS = 4.5 V ID = 13.8 A |
Numéro de pièce similaire - SI4686DY |
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Description similaire - SI4686DY |
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