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SI4561DY Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4561DY Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 12 page www.vishay.com 4 Document Number: 69730 S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09 Vishay Siliconix Si4561DY N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge 0 6 12 18 24 30 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS =10thru 5 V 3 V 4 V 0.020 0.028 0.036 0.044 0.052 0.060 06 12 18 24 30 ID - Drain Current (A) VGS =4.5 V VGS =10 V 0 2 4 6 8 10 0.0 2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 ID =5A Qg - Total Gate Charge (nC) VDS =10 V VDS =20 V VDS =30 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 1 2 3 4 5 01 2 3 45 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TC = 25 °C TC = - 55 °C TC = 125 °C Crss 0 160 320 480 640 800 0 6 12 18 24 30 Coss Ciss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Junction Temperature (°C) ID =5A VGS =10 V VGS =4.5 V |
Numéro de pièce similaire - SI4561DY |
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Description similaire - SI4561DY |
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