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SI4563DY Fiches technique(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix |
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SI4563DY Fiches technique(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix |
5 / 12 page Document Number: 73513 S09-0393-Rev. C, 09-Mar-09 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix Si4563DY N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 1.0 1.2 0.01 10 20 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 TJ = 25 °C TJ = 150 °C VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 1 0.1 - 0.8 - 0.6 - 0.4 - 0.2 0.0 0.2 0.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Temperature (°C) ID = 250 µA ID = 5 mA On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 012 345 67 89 10 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C ID = 5 A 0 30 50 10 20 Time (s) 40 110 0.1 0.01 0.001 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 1 0.1 1 10 100 0.01 10 0.1 1 ms TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 100 ms DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 1 s 10 s Limited by RDS(on)* > |
Numéro de pièce similaire - SI4563DY |
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Description similaire - SI4563DY |
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