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S29GL01GT12TFByyx Datasheet(Fiches technique) 82 Page - Cypress Semiconductor

Numéro de pièce S29GL01GT12TFByyx
Description  1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte)
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Fabricant  CYPRESS [Cypress Semiconductor]
Site Internet  http://www.cypress.com
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 82 page
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Document Number: 002-00247 Rev. *G
Page 82 of 105
S29GL01GT, S29GL512T
11.4.2 Asynchronous Write Operations
Note:
1. Not 100% tested.
Figure 11.8 Back to Back Write Operation Timing Diagram
Note:
1. Address are Amax:A0 in word mode; Amax:A-1 in byte mode, Data are DQ15-DQ0 in word mode; DQ7-DQ0 in byte mode.
Table 11.9 Write Operations
Parameter
Description
VIO = 2.7V
to VCC
VIO = 1.65V to
VCC
Unit
JEDEC
Std
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# Low during toggle bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# High during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
30
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHWL
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
WE# Pulse Width
Min
25
ns
tWHWL
tWPH
WE# Pulse Width High
Min
20
ns
tSEA
Sector Erase Time-Out
Min
50
µs
Amax-A0
CE#
OE#
WE#
DQ15-DQ0
tDS
tDH
tWP
tAS
tAH
tWPH
tWC
tCS
tCH




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