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BFP720_12 Datasheet(Fiches technique) 22 Page - Infineon Technologies AG

Numéro de pièce BFP720_12
Description  Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
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 22 page
background image
BFP720
Electrical Characteristics
Data Sheet
22
Revision 1.1, 2012-10-19
Figure 5-10 Power Gain
G
ma, Gms = f (VCE), IC = 13 mA, f = Parameter in GHz
Note: The curves shown in this chapter have been generated using typical devices but shall not be considered as
a guarantee that all devices have identical characteristic curves
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
V
CE
[V]
10.00GHz
5.50GHz
3.50GHz
2.40GHz
1.90GHz
1.50GHz
0.90GHz
0.45GHz
0.15GHz




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