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BFP720_12 Datasheet(Fiches technique) 21 Page - Infineon Technologies AG

Numéro de pièce BFP720_12
Description  Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
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 21 page
background image
BFP720
Electrical Characteristics
Data Sheet
21
Revision 1.1, 2012-10-19
Figure 5-8 Noise Figure
NF
min = f (f), VCE = 3 V, ZS = Zopt
Figure 5-9 Power Gain
G
ma, GmS = f (IC), VCE = 3 V, f = Parameter in GHz
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
f [GHz]
I
C
= 13mA
I
C
= 5.0mA
0
5
10
15
20
25
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
I
C
[mA]
10.00GHz
5.50GHz
3.50GHz
2.40GHz
1.90GHz
1.50GHz
0.90GHz
0.45GHz
0.15GHz




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