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BFP720F Datasheet(Fiches technique) 18 Page - Infineon Technologies AG

Numéro de pièce BFP720F
Description  Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
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 18 page
background image
BFP720F
Electrical Characteristics
Data Sheet
18
Revision 1.1, 2012-10-25
5.4
Characteristic Curves
Figure 5-2 Transition Frequency
f
T = f (IC, VCE), f = 1 GHz, VCE Parameter in V
Figure 5-3 Power Gain
G
ma, Gms, IS21I² = f (f), VCE = 3 V, IC = 13 mA
10
0
10
1
10
2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
C
[mA]
3.00V
2.00V
1.50V
0.50V
1.00V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
f [GHz]
G
ms
G
ma
|S
21
|
2




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