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2SD1640 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1640 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 100 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 2mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 1mA 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 1mA 2.0 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V; IB= 0 0.1 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 120V; IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 2.0 mA hFE DC Current Gain IC= 1 A ; VCE= 10V 4000 40000 hFE Classifications Q R S 4000-10000 8000-20000 16000-40000 |
Numéro de pièce similaire - 2SD1640 |
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Description similaire - 2SD1640 |
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