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SI4810DY Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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SI4810DY Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 5 page Si4810DY Vishay Siliconix Document Number: 70802 S-31062—Rev. F, 26-May-03 www.vishay.com 2-3 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) 0 10 20 30 40 50 0 1234 5 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 0 10 20 30 40 50 0 1234 5 0 2 4 6 8 10 0 8 16 24 32 40 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0 10203040 50 VGS = 10 thru 5 V TC = 125_C -55 _C VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VDS = 15 V ID = 10 A ID - Drain Current (A) VGS = 10 V ID = 10 A VGS = 10 V VGS = 4.5 V 3 V 25 _C 4 V Output Characteristics Transfer Characteristics Gate Charge On-Resistance vs. Drain Current VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS - Gate-to-Source Voltage (V) Qg - Total Gate Charge (nC) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature TJ - Junction Temperature (_C) 0 700 1400 2100 2800 3500 0 5 10 15 20 25 30 Crss (MOSFET) Coss (MOSFET + Schottky) Ciss (MOSFET) |
Numéro de pièce similaire - SI4810DY |
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Description similaire - SI4810DY |
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