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SPD04N50C3 Fiches technique(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG |
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SPD04N50C3 Fiches technique(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG |
4 / 11 page 2003-10-07 Page 4 SPD04N50C3 Final data Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Values Unit min. typ. max. Inverse diode continuous forward current IS TC=25°C - - 4.5 A Inverse diode direct current, pulsed ISM - - 13.5 Inverse diode forward voltage VSD VGS=0V, IF=IS - 1 1.2 V Reverse recovery time trr VR=400V, IF=IS , diF/dt=100A/µs - 280 - ns Reverse recovery charge Qrr - 2.3 - µC Peak reverse recovery current Irrm - 16 - A Peak rate of fall of reverse recovery current dirr/dt - 860 - A/µs Typical Transient Thermal Characteristics Symbol Value Unit Symbol Value Unit typ. typ. Thermal resistance Rth1 0.039 K/W Rth2 0.074 Rth3 0.132 Rth4 0.555 Rth5 0.529 Rth6 0.169 Thermal capacitance Cth1 0.00007347 Ws/K Cth2 0.0002831 Cth3 0.0004062 Cth4 0.001215 Cth5 0.00276 Cth6 0.029 External H eatsink Tj Tcase Tamb Cth1 Cth2 R th1 Rth,n Cth,n Ptot (t) |
Numéro de pièce similaire - SPD04N50C3 |
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Description similaire - SPD04N50C3 |
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