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BUZ76A Fiches technique(PDF) 8 Page - Infineon Technologies AG |
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BUZ76A Fiches technique(HTML) 8 Page - Infineon Technologies AG |
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8 / 9 page  Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 76 A Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = 3 A, VDD = 50 V R GS = 25 Ω, L = 35 mH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 mJ 190 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: I D puls = 6 A 0 4 8 12 16 20 24 nC 30 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 V 480 V (BR)DSS |
Numéro de pièce similaire - BUZ76A |
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Description similaire - BUZ76A |
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