SI7850DP datasheet(3/11 Pages) TFUNK

No de pièce	SI7850DP

Description	N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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Fabricant	TFUNK [Vishay Telefunken]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Document Number: 71625

S09-0227-Rev. E, 09-Feb-09

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si7850DP

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

Source-Drain Diode Forward Voltage

0.00

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0

8

16

24

32

40

VGS = 10 V

ID - Drain Current (A)

VGS = 4.5 V

0

2

4

6

8

10

048

12

16

20

VDS = 30 V

ID = 10.3 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

2.0

2.5

1

10

50

0.00

0.5

1.0

1.5

TJ = 25 °C

TJ = 150 °C

VSD - Source-to-Drain Voltage (V)

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

0

102030405060

Crss

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 10 V

ID = 10.3 A

TJ - Junction Temperature (°C)

0.00

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

02468

10

ID = 10.3 A

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

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