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2SC4770 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC4770 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page Product Specification www.jmnic.com JMnic Silicon NPN Power Transistors 2SC4770 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A;IB=1.7 A 5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A;IB=1.7 A 1.5 V VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA;IB=0 800 V IEBO Emitter cut-off current VEB=4V IC=0 1 mA ICBO Collector cut-off current VCB=800V IE=0 10 μA ICES Collector cut-off current VCE=1500V; RBE=0 1 mA hFE-1 DC current gain IC=1 A ; VCE=5V 8 hFE-2 DC current gain IC=5A ; VCE=5V 3 8 Switching times tstg Storage time 3.0 μs tf Fall time IC=4A;RL=50Ω IB1=0.8A;- IB2=1.6A VCC=200V 0.1 0.2 μs hFE-2 classifications 1 2 3 3-5 4-6 5-8 |
Numéro de pièce similaire - 2SC4770_15 |
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Description similaire - 2SC4770_15 |
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