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2SA1107 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SA1107 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SA1107 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ; IB=0 -150 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-5V -2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-140V; IE=0 -10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -10 μA hFE-1 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 55 160 hFE-2 DC current gain IC=-5A ; VCE=-5V 35 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-10V 50 MHz |
Numéro de pièce similaire - 2SA1107_15 |
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Description similaire - 2SA1107_15 |
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