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STUD602S Fiches technique(PDF) 5 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
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5 / 8 page 6 Q g, T otal G ate Charge (nC) 10 8 6 4 2 0 04 8 12 16 20 24 28 32 V DS =30V ID=10A Figure 9. C apacitance V DS , Drain-to S ource Voltage (V ) 0 5 10 15 20 25 30 1800 1500 1200 900 600 300 0 Cis s Cos s Crs s F igure 11. s witching cha ra cteris tics R g, G ateR es is tance( Ω) 100 10 1 1 610 60 100 60 600 300 220 TD(on) T D(off) Tf V DS =30V , ID=10A V G S =10V 5 STU/D602S Tr Figure 12. Ma ximum S a fe Opera ting Area V DS , Drain-S ource V oltage (V ) 80 10 1 0.1 0.03 0.1 1 10 60 80 10m s 100 ms 1s DC V GS =10V S ingle P uls e T A=25 C R DS (O N) Lim it Square W ave P uls e Duration (s ec) F igure 13. Normalized T hermal T rans ient Impedance C urve 2 1 0.1 0.01 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 110 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 P DM t1 t2 1. R JA (t)=r (t) * R JA 2. R JA=S ee Datas heet 3. T JM-T A =P DM*R JA (t) 4. Duty C ycle, D=t1/t2 S ING LE P ULS E F igure 10. G a te C ha rge |
Numéro de pièce similaire - STUD602S |
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Description similaire - STUD602S |
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