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DMG6402LVT-7 Fiches technique(PDF) 4 Page - Diodes Incorporated |
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DMG6402LVT-7 Fiches technique(HTML) 4 Page - Diodes Incorporated |
4 / 6 page DMG6402LVT Document number: DS35831 Rev. 3 - 2 4 of 6 www.diodes.com May 2013 © Diodes Incorporated DMG6402LVT 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 T , AMBIENT TEMPERATURE (°C) A I = 1mA D I = 250µA D 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 V , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V) SD Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current T = 25°C A 0 5 10 15 20 25 30 Fig. 9 Typical Capacitance V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) DS 10 100 1,000 f = 1MHz Ciss Coss Crss 02 4 6 8 10 Fig. 10 Gate-Charge Characteristics Q , TOTAL GATE CHARGE (nC) g 0 2 4 6 10 8 V = 15V I = 5.8A DS D 0.001 0.01 0.1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000 t1, PULSE DURATION TIMES (sec) Fig. 11 Transient Thermal Resistance D = 0.9 D = 0.7 D = 0.5 D = 0.3 D = 0.1 D = 0.05 D = 0.02 D = 0.01 D = 0.005 Single Pulse 1 R (t) = r(t) * R JA R= 54°C/W Duty Cycle, D = t1/ t2 JA JA |
Numéro de pièce similaire - DMG6402LVT-7 |
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Description similaire - DMG6402LVT-7 |
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