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IRF5851 Fiches technique(PDF) 9 Page - International Rectifier

No de pièce IRF5851
Description  Power MOSFET(Vdss = -20 V)
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier

IRF5851 Fiches technique(HTML) 9 Page - International Rectifier

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IRF5851
www.irf.com
9
Fig 21. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 20. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 23. Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
100
200
300
400
500
-V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
f = 1MHz
+ C
+ C
C
SHORTED
GS
iss
gs
gd ,
ds
rss
gd
oss
ds
gd
Ciss
Coss
Crss
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
G
I =
D
-2.2A
V
=-10V
DS
V
=-16V
DS
Fig 22. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
J
A
-V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
100us
1ms
10ms
P-Channel
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V
,Source-to-Drain Voltage (V)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 150 C
J
°


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