IRF140 datasheet(4/7 Pages) IRF | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

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IRF140 Fiches technique(PDF) 4 Page - International Rectifier

No de pièce	IRF140

Description	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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IRF140

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Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Gate-to-Source Voltage

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Drain-to-Source Voltage

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

13 a& b

Numéro de pièce similaire - IRF140

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Samsung semiconductor	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Seme LAB	IRF140	22Kb / 2P	N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF140	146Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF140	55Kb / 7P	28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF140	103Kb / 3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V

Description similaire - IRF140

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRFN140	218Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF130	147Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
	IRF150	150Kb / 7P	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)
	IRC540PBF	1Mb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.077廓 , ID=28A )
	IRF9130	149Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
	IRF9140	148Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A)
	IRFY140CM	291Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A)
	IRF5NJ540	115Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*)
	IRF5M3710	114Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.03ohm, Id=35A)

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