SI2307BDS-3 datasheet(3/5 Pages) KEXIN

No de pièce	SI2307BDS-3

Description	P-Channel Enhancement MOSFET

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Fabricant	KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]

Site Internet	http://www.kexin.com.cn/index.asp

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SMD Type

www.kexin.com.cn

3

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2307BDS (KI2307BDS)

■

Typical Characterisitics

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

0

2

4

6

8

10

12

0

2

4

6

8

10

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

V GS = 10 thru 5 V

2 V

4 V

3 V

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

0

2

4

6

8

10

I D- Drain Current (A)

V GS = 10 V

V GS = 4.5 V

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

Qg - Total Gate Charge (nC)

V DS = 15 V

ID = 3 A

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0

2

4

6

8

10

12

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

T C = 125 °C

- 55 °C

25 °C

0

100

200

300

400

500

600

700

0

5

10

15

20

25

30

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

C rss

C oss

C iss

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

V GS = 10 V

ID = 3.2 A

TJ - Junction Temperature (°C)

Numéro de pièce similaire - SI2307BDS-3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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