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SI2307BDS-3 Fiches technique(PDF) 3 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
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SI2307BDS-3 Fiches technique(HTML) 3 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
3 / 5 page SMD Type www.kexin.com.cn 3 MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2307BDS (KI2307BDS) ■ Typical Characterisitics Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge 0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) V GS = 10 thru 5 V 2 V 4 V 3 V 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0 2 4 6 8 10 I D- Drain Current (A) V GS = 10 V V GS = 4.5 V 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 Qg - Total Gate Charge (nC) V DS = 15 V ID = 3 A Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 12 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 VGS - Gate-to-Source Voltage (V) T C = 125 °C - 55 °C 25 °C 0 100 200 300 400 500 600 700 0 5 10 15 20 25 30 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) C rss C oss C iss 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 V GS = 10 V ID = 3.2 A TJ - Junction Temperature (°C) |
Numéro de pièce similaire - SI2307BDS-3 |
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Description similaire - SI2307BDS-3 |
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