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MTB050P10E3-0-UB-S Fiches technique(PDF) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB050P10E3-0-UB-S Fiches technique(HTML) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
6 / 8 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C975E3 Issued Date : 2014.07.10 Revised Date : Page No. : 6/8 MTB050P10E3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Typical Transfer Characteristics 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 02 46 8 10 -VGS, Gate-Source Voltage(V) VDS=-10V Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width(s) TJ(MAX)=175°C TC=25°C θJC=0.75°C/W Transient Thermal Response Curves 0.01 0.1 1 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 t1, Square Wave Pulse Duration(s) Single Pulse 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 D=0.5 1.RθJC(t)=r(t)*RθJC 2.Duty Factor, D=t1/t2 3.TJM-TC=PDM*RθJC(t) 4.RθJC=0.75 °C/W |
Numéro de pièce similaire - MTB050P10E3-0-UB-S |
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Description similaire - MTB050P10E3-0-UB-S |
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