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2SC3725_2014 Fiches technique(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC3725_2014 Fiches technique(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3725 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ; IB=0 400 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ; IE=0 450 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ; IC=0 10 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A ;IB=1.2A 0.8 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A ;IB=1.2A 1.2 V ICBO Collector cut-off current VCB=450V; IE=0 100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=10V; IC=0 100 μA hFE DC current gain IC=6A ; VCE=5V 10 Switching times ton Turn-on time 1.0 μs ts Storage time 2.5 μs tf Fall time IC=6A; IB1=2A IB2=-4A; RL=15Ω 0.5 μs |
Numéro de pièce similaire - 2SC3725_2014 |
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Description similaire - 2SC3725_2014 |
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