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SBX2020 Fiches technique(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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SBX2020 Fiches technique(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page SBX2030 ... SBX2050 SBX2030 ... SBX2050 2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers 2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2014-07-18 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 30...50 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 2.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Green Molding Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free1 Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Features Vorteile Up to 50V reverse voltage at low VF Lowest value RthL for lowest Tj Best trade-off between VF and IR 2) 1000pcs/13” reel for longer reel change intervals Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem VF Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 20 A SBX2030 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59 SBX2040 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59 SBX2045 45 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59 SBX2050 50 typ. 0.32 < 0.47 < 0.61 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 20 A3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 290/330 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 420 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 From 1H/2012 – Ab 1H/2012 2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Ø 1.6±0.05 Ø 8±0.1 |
Numéro de pièce similaire - SBX2020 |
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Description similaire - SBX2020 |
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