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2SK2912 Fiches technique(PDF) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK2912 Fiches technique(HTML) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
5 / 10 page 2SK2912(L), 2SK2912(S) 5 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 0 48 12 16 20 1 10 100 250 0.5 0.2 0.1 0.02 0.05 0.01 0.005 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 –40 0 40 80 120 160 0 1 2 5 10 20 50 100 100 50 10 20 2 5 1 20 5 I = 20 A D V = 4 V GS 10 V 10 A 10, 20 A I = 50 A D 10 A 20 A V = 4 V GS 10 V 50 A Gate to Source Voltage V (V) GS Drain to Source Saturation Voltage vs. Gate to Source Voltage Drain Current I (A) D Static Drain to Source on State Resistance vs. Drain Current Case Temperature Tc ( °C) Static Drain to Source on State Resistance vs. Temperature Drain Current I (A) D Forward Transfer Admittance vs. Drain Current Pulse Test Pulse Test Pulse Test 25 °C Tc = –25 °C 75 °C V = 10 V Pulse Test DS |
Numéro de pièce similaire - 2SK2912 |
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Description similaire - 2SK2912 |
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