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2SK1314 Fiches technique(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK1314 Fiches technique(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
2 / 6 page 2SK1313(L)(S), 2SK1314(L)(S) 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage 2SK1313 V DSS 450 V 2SK1314 500 Gate to source voltage V GSS ±30 V Drain current I D 5A Drain peak current I D(pulse)* 1 20 A Body to drain diode reverse drain current I DR 5A Channel dissipation Pch* 2 50 W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% 2. Value at T C = 25 °C |
Numéro de pièce similaire - 2SK1314 |
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Description similaire - 2SK1314 |
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