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ST1413A Fiches technique(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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ST1413A Fiches technique(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 7 page ST1413A P Channel Enhancement Mode MOSFET -3.4A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST1413A 2005. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Continuous Drain Current (TJ=150℃) TA=25℃ TA=70℃ ID -3.4 -2.0 A Pulsed Drain Current IDM -7 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -1.6 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 1.25 0.8 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 105 ℃/W |
Numéro de pièce similaire - ST1413A |
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Description similaire - ST1413A |
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