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ST13P10 Fiches technique(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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ST13P10 Fiches technique(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 9 page ST13P10 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 13.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. ST13P10 2009. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbo l Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -100 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Continuous Drain Current (TJ=150℃) TA=25℃ TA=100℃ ID -13.0 -8.2 A Pulsed Drain Current IDM -52 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -13 A Power Dissipation TA=25℃ PD 66 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 110 ℃ /W PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com |
Numéro de pièce similaire - ST13P10 |
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Description similaire - ST13P10 |
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