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2SJ244 Fiches technique(PDF) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SJ244 Fiches technique(HTML) 5 Page - Hitachi Semiconductor |
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5 / 8 page  2SJ244 5 -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2 -5 -10 20 50 100 200 500 1000 2000 Reverse Drain Current I (A) DR di/dt = 10 A/µs PW = 10 µs Reverse Recovery Time vs. Reverse Drain Current -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2 -5 -10 20 50 100 200 500 1000 2000 Drain Current I (A) D V = - 4 V, V = - 10 V PW = 2 µs, Duty Cycle = 1 % GS DD td(on) tf tr td(off) Switching Time vs. Drain Current 0 2 4 6 8 10 -25 -20 -15 -10 -5 I = -4 A D 0 -2 -4 -6 -8 -10 V = -10 V DD -5 V V = -10 V DD -5 V V GS V DS Gate Charge Qg ( nc ) Pulse Test Dynamic Input Characteristics 10 20 50 100 200 500 1000 Ciss Crss -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2 -5 -10 Coss V = 0 GS f = 1 MHz Drain to Source Voltage V (V) DS Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage |
Numéro de pièce similaire - 2SJ244 |
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Description similaire - 2SJ244 |
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