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STD11N65M5 Fiches technique(PDF) 8 Page - STMicroelectronics |
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STD11N65M5 Fiches technique(HTML) 8 Page - STMicroelectronics |
8 / 25 page Electrical characteristics STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5 8/25 Doc ID 022864 Rev 2 Figure 14. Normalized on-resistance vs temperature Figure 15. Normalized gate threshold voltage vs temperature RDS(on) 1.7 1.3 0.9 0.5 -50 0 TJ(°C) (norm) -25 75 25 50 100 0.7 1.1 1.5 1.9 2.1 ID = 4.5 A VGS = 10 V AM05460v1 VGS(th) 1.00 0.90 0.80 0.70 -50 0 TJ(°C) (norm) -25 1.10 75 25 50 100 ID = 250 µA VDS = VGS AM05459v1 Figure 16. Drain-source diode forward characteristics Figure 17. Normalized BVDSS vs temperature VSD 0 20 ISD(A) (V) 10 50 30 40 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C AM05461v1 VDS -50 0 TJ(°C) (norm) -25 75 25 50 100 0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.04 1.06 1.02 ID = 1mA 1.08 AM10399v1 Figure 18. Switching losses vs gate resistance(1) 1. Eon including reverse recovery of a SiC diode E 0 0 20 RG( Ω) ( μJ) 10 30 20 40 40 ID=6A VDD=400V Eon Eoff 60 VGS=10V 80 100 5 15 25 35 45 AM15407v1 |
Numéro de pièce similaire - STD11N65M5 |
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Description similaire - STD11N65M5 |
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