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IRF9Z34NSTRRPBF Fiches technique(PDF) 4 Page - International Rectifier |
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IRF9Z34NSTRRPBF Fiches technique(HTML) 4 Page - International Rectifier |
4 / 11 page IRF9Z34NS/L Fig 8. Maximum Safe Operating Area Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Fig 5. Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 0 4 8 12 16 20 0 10203040 G A Q , Tota l Gate Ch arge (n C) FO R TEST CIRCUIT SEE F IGU R E 1 3 I = -10 A V = -44 V V = -28 V D DS DS 0.1 1 10 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 T = 25 °C J V = 0 V GS SD A -V , S ource -to-Drain V oltage (V ) T = 175°C J 1 10 100 1000 1 10 100 OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LI MI TE D BY R DS(o n) 10m s A -V , Dra in-to-So urce V olta ge (V ) DS 1 0µs 100µ s 1m s T = 2 5°C T = 1 75°C Sin gle Pu ls e C J 0 200 400 600 800 1000 1200 1 10 100 A DS -V , Drain -to -So urce V oltag e (V) V = 0V , f = 1MH z C = C + C , C SH OR TED C = C C = C + C GS is s gs g d ds rs s g d os s ds gd C iss C os s C rs s TC = 25°C |
Numéro de pièce similaire - IRF9Z34NSTRRPBF |
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Description similaire - IRF9Z34NSTRRPBF |
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