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2SC3886 Fiches technique(PDF) 2 Page - Savantic, Inc. |
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2SC3886 Fiches technique(HTML) 2 Page - Savantic, Inc. |
2 / 4 page SavantIC Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3886 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=5mA ;IB=0 600 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A; IB=1.5A 5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A; IB=1.5A 5 V ICBO Collector cut-off current VCB=1400V; IE=0 1.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 µA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 15 Cob Collector output capacitance IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz 150 pF fT Transition frequency IE=0.1A ; VCE=10V 3 8 MHz Switching times inductive load ts Storage time 2.5 4.0 µs tf Fall time ICP=6A;IB1=1.2A fH =64kHz LY=120µH;CY=7500pF 0.1 0.5 µs |
Numéro de pièce similaire - 2SC3886 |
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Description similaire - 2SC3886 |
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