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SI4388DY Fiches technique(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI4388DY Fiches technique(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 15 page www.vishay.com 4 Document Number: 74344 S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09 Vishay Siliconix Si4388DY CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge 0 8 16 24 32 40 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS = 10 thru 5 V 3 V 4 V 0 8 16 24 32 40 I D - Drain Current (A) 0.010 0.014 0.018 0.022 0.026 0.030 VGS = 4.5 V VGS = 10 V 0 2 4 6 8 10 04 8 12 16 20 Qg - Total Gate Charge (nC) ID = 5 A VDS = 10 V VDS = 15 V VDS = 20 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 01 2 3 45 25 °C - 55 °C TC = 125 °C Crss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0 240 480 720 960 1200 0 6 12 18 24 30 Coss Ciss TJ - Junction Temperature ( °C) 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 8 A VGS = 10 V VGS = 4.5 V |
Numéro de pièce similaire - SI4388DY |
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Description similaire - SI4388DY |
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