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Si4128DY-T1-E3 Fiches technique(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
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Si4128DY-T1-E3 Fiches technique(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
3 / 10 page Document Number: 69004 S-83089-Rev. C, 29-Dec-08 www.vishay.com 3 Vishay Siliconix Si4128DY New Product TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge 0 5 10 15 20 25 30 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VGS =10thru 4 V VGS =3 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 0.035 0 5 10 15 20 25 30 VGS =10 V VGS =4.5 V ID - Drain Current (A) 0 2 4 6 8 10 024 6 8 VDS =24 V ID =7.8 A VDS =15 V Qg - Total Gate Charge (nC) Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 2 4 6 8 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 TC = 25 °C TC = 125 °C TC = - 55 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) Crss 0 100 200 300 400 500 600 0 5 10 15 20 25 30 Ciss Coss VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 VGS =4.5 V VGS =10 V ID =7.8 A TJ -Junction Temperature (°C) |
Numéro de pièce similaire - Si4128DY-T1-E3 |
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Description similaire - Si4128DY-T1-E3 |
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