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BA682-GS08 Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
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BA682-GS08 Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 5 page www.vishay.com 2 Document Number 85530 Rev. 1.5, 16-Mar-06 BA682 / BA683 Vishay Semiconductors Electrical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Typical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Test condition Part Symbol Min Typ. Max Unit Forward voltage IF = 100 mA VF 1000 mV Reverse current VR = 20 V IR 50 nA Diode capacitance f = 100 MHz, VR = 1 V CD 1.5 pF f = 100 MHz, VR = 3 V BA682 CD 1.25 pF BA683 CD 1.2 pF Differential forward resistance f = 200 MHz, IF = 3 mA BA682 rf 0.7 Ω BA683 rf 1.2 Ω f = 200 MHz, IF = 10 mA BA682 rf 0.5 Ω BA683 rf 0.9 Ω Figure 1. Differential Forward Resistance vs. Forward Current Figure 2. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage 0.1 1 10 0.1 1 10 100 100 94 9074 BA 683 f = 200 MHz Tj = 25 °C BA 682 IF - Forward Current (mA) 0.1 0 0.5 1.0 1.5 2.0 3.0 100 10 94 9075 2.5 V -Reverse Voltage (V) T f = 200 MHz = 25 °C R BA 683 BA 682 j 1 |
Numéro de pièce similaire - BA682-GS08 |
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Description similaire - BA682-GS08 |
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