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FM1808B Fiches technique(PDF) 9 Page - Cypress Semiconductor |
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FM1808B Fiches technique(HTML) 9 Page - Cypress Semiconductor |
9 / 12 page FM1808B – 256Kb Bytewide 5V F-RAM Document Number: 001-86209 Rev. ** Page 9 of 12 Write Cycle Timing - /WE Controlled Timing CE A0-14 WE DQ0-7 out t AS t AH t CA t WC t PC OE t WS t WH DQ0-7 in t DS t WP t WZ t WX t DH t C W Power Cycle Timing Power Cycle Timing (TA = -40 C to + 85 C, VDD = 4.5V to 5.5V unless otherwise specified) Symbol Parameter Min Max Units Notes tPU VDD(min) to First Access Start 10 - ms tPD Last Access Complete to VDD(min) 0 - s tVR VDD Rise Time 30 - s/V 1 tVF VDD Fall Time 30 - s/V 1 Notes 1. Slope measured at any point on VDD waveform. V IH (min) t PD t PU V DD CE V IL (max) V DD (min) t PC V DD (min) V IH (min) V IH (min) V IH (min) t PD t PD t PU t PU V DD CE V IL (max) V IL (max) V DD (min) V DD (min) t PC t PC V DD (min) V DD (min) V IH (min) V IH (min) |
Numéro de pièce similaire - FM1808B |
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Description similaire - FM1808B |
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