SI8425DB datasheet(5/11 Pages) VISHAY

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SI8425DB Fiches technique(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix

No de pièce	SI8425DB

Description	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Si8425DB

Document Number: 63909

S12-2180-Rev. A, 10-Sep-12

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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

Note:

When Mounted on 1" x 1" FR4 with full Copper.

* The power dissipation PD is based on TJ(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper

dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package

limit.

Current Derating*

100

125

150

A - Ambient Temperature (°C)

Power Derating

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

100

125

150

A - Ambient Temperature (°C)

Numéro de pièce similaire - SI8425DB

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	SI8425DB	254Kb / 11P	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 01-Jan-2022

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