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STP4925 Fiches technique(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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STP4925 Fiches technique(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 6 page STP4925 P Dual Channel Enhancement Mode MOSFET - 7.2A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STP4925 2007. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Continuous Drain Current (TJ=150℃) TA=25℃ TA=70℃ ID -7.2 -5.6 A Pulsed Drain Current IDM -20 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -2.3 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 2.8 1.8 W Operation Junction Temperature TJ -55/150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 70 ℃/W |
Numéro de pièce similaire - STP4925 |
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Description similaire - STP4925 |
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